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2)低温多晶硅技术(LTPS TFT)
该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在
G4.5 代以下生产线相当成熟的
AMOLED 生产技术。
该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方式,将非晶硅薄膜变为多晶硅,
从而将电子迁移率从
0.5 提高到 50-100 cm2/V-s,以满足 OLED 电流驱动的要求。
该技术经过多年的商业化量产,产品性能优越,工作稳定性好,同时在这几年的量产
中,其良品率已得到很大的提高,达到
90%左右,极大的降低了产品成本。
从以上
LTPS 的工艺流程可以看出,其和非晶硅技术的主要区别是增加了激光晶化过
程和离子注入过程,其它的加工工艺基本相同,设备也和非晶硅生产有相通之处。
另外,晶化的技术也有很多种,目前小尺寸最常用的是
ELA,其它的晶化技术还有:
SLS、YLA 等,有的公司也在利用其它的技术研发 AMOLED 的 TFT 基板,例如金属诱导晶
化技术,也有相应的样品展出,但这一技术的主要问题是金属会导致膜层间的电压击穿,
漏电流大,器件稳定性无法保证(由于
AMOLED 器件是特别薄的,各层间加工时保证层
面干净度,防止电压击穿是重要的一项课题)。
LTPS 技术的主要缺陷有如下几点:
●生产工艺比较复杂,使用的 Mask 数量为 6—9 道,初期设备投入成本高。
●受激光晶化工艺的限制,大尺寸化比较困难,目前最大的生产线为 G4.5 代。
●激光晶化造成 Mura 严重,使用在 TV 面板上,会造成视觉上的缺陷。
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3)非晶硅技术(a-Si TFT)
非晶硅技术最成功的应用是在液晶生产工艺中,目前的
LCD 厂家,除少数使用 LTPS
技术外,绝大部分使用的是
a-Si 技术。
a-Si 技术在液晶领域成熟度高,其器件结构简单,一般都为 1T1C(1 个 TFT 薄膜晶体
管电路,
1 个存储电容),生产制造使用的 Mask 数量为 4—5,目前也有厂家在研究 3Mask
工艺。
另外,采用
a-Si 技术进行 AMOLED 的生产,设备完全可以使用目前液晶 TFT 加工的
原有设备,初期投入成本低。
再者,非晶硅技术大尺寸化已完全实现,目前在
LCD 领域已做到 100 寸以上。
虽然在
LCD 领域,a-Si 技术为主流,但 OLED 器件是电流驱动方式,a-Si 器件很低的
电子迁移率无法满足这一要求,虽然也有公司(例如加拿大的
IGNIS)在 IC 的设计上进行