联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其

ESR。如果看电容的频

率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个

V 形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所

以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。

去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能

电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是

0.1μF。这

个电容的分布电感的典型值是

5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感，它的并行

共振频率大约在

7MHz 左右，也就是说，对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，

对

40MHz 以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF 的电容，并行共振频率在 20MHz 以

上，去除高频噪声的效果要好一些。每

10 片左右集成电路要加一片充放电电容，或 1

个蓄能电容，可选

10μF 左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，

这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的
选用并不严格，可按

C=1/F，即 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。