3 结论和

探讨

　　通过实验
可以看出，见

表 1，随着工

艺气体总流量
的增加，膜的
厚度呈上升趋
势，也即成膜
速度呈递增趋
势，但超过一
定流量后又呈

下降趋势。对这个变化的解释是，当流量的增加，等离子浓度也呈上升趋势，但是当超
过一定值后，由于等离子能量在呈下降趋势，导致继续等离子化难度增加，这样当流量

继续增加时，等离子的浓度反而会降低，成膜速度呈递减趋势[1]。

　　随着工艺气体总流量的增加，折射率缓慢增加。在用等离子体形成的氮化硅膜的折

射率与致密性没有必然的联系，并不是折射率越高致密性就一定高。这点与用 LPCVD 所

形成的氮化硅膜是有差异的。

　　随着工艺气体总流量的增加，吸光系数也缓慢增加，HF 酸腐蚀的速度也缓慢提高，

可见致密性在变差。主要原因是当流量增加时氮化硅膜的成分在发生很大的变化，离四
氮化三硅越来越远，其实我们所称的等离子下形成的氮化硅膜是一个相当笼统的说法，
其膜成分的配比无数，能适合做高效太阳能电池减反射钝化膜的氮化硅膜的要求是相当

高的[2]。绝对不是肉眼看到的，以为都一样。

　　随着工艺气体总流量的增加，少数载流子的寿命也发生了变化，刚开始呈上升趋势，
然后呈下降趋势。从少数载流子的寿命变化可以看出钝化的效能变化，当总流量变化时，
等离子的扩散长度也在改变，其实在初期等离子激发时，对硅表面非但没有钝化作用，

而存在一个损伤的过程，但是当膜增长到一定厚度时，这种损伤将消失[3]，然后会被补

偿并增强钝化作用，而并不是说沉积膜的全过程都是钝化过程。

§

　　在效率方
面，当工艺气
体总流量增加
时，效率有一
个最佳值，如

图

3 所示，其中