晶体管的各种参数有什么意义？

晶闸管的电参数，在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参

数(AC)等。但在实际的使用中，我发现还有许多想测而无法测量到的参数，为

使工作方便，我便称其为“功能参数”。分别述之：

一、极限参数

所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不允许超过的

参数。这些参数常规的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集

电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作的环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等)、

存储条件等。在民用电子产品的应用中，基本只关心前三个。

1、晶体管的反向击穿电压

定义：在被测 PN 结两端施加连续可调的反向直流电压，观察其 PN 结的

电流变化情况，当 PN 结的反向电流出现剧烈增加时，此时施加到此 PN 结两

端的电压值，就是此 PN 结的反向击穿电压。

每个晶体管都有三个反向击穿电压，分别是：基极开路时集电极—发射极

反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和

集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。

此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的电压范围。

由此电参数的特性可知，当晶体管在工作中出现击穿状态，将是非常危险

的。因此，在设计中，都给晶体管工作时的电压范围，留有足够的余量。实际

上，当晶体管长期工作在较高电压时(晶体管实测值的 60%以上)，其晶体管的