为什么可控硅容易击穿？

很多企业都在使用可控硅，可是有些企业的可控硅特别容易烧坏呢？下面

就由我为大家一一介绍可控硅被击穿的各种原因：

1、过压击穿：

过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是

没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路

中，在可控硅两端一定要接入 RC 吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所

引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是

否有烧坏或失效的。

2、过流与过热击穿：其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是

电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温

度达到 175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电

流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于

温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过

流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。

3、过热击穿：这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定

电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热

装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。