砷化镓太阳能电池

砷化镓简介

砷化镓（

GaAs）半导体材料与传统的硅材料相比，它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接

带隙，消耗功率低的特性，电子迁移率约为硅材料的

5.7 倍。因此，广泛应用于高频及无线

通讯中制做

IC 器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线

通信、光纤通信、移动通信、

GPS 全球导航等领域。砷化镓除在 IC 产品应用以外，也可加入其

它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长，制作成光电元件。还可与太

阳能结合制备砷化镓太阳能电池

 

砷 化 镓 薄 膜

电 池 聚 光 跟

踪 发 电 系 统

的基本构想

      在薄膜光

伏电池中，非晶硅电池效率低下，且稳定性有待提高。尽管硫化镉、碲化镉薄膜电池的效率

较非晶硅薄膜电池效率高，成本较晶体硅电池低，且易于大规模生产，但是镉有剧毒，会

对环境造成严重污染，硒和铟是储量很少的稀有元素，因此大规模发展必将受到材料制约。

而砷化镓化合物材料具有十分理想的禁带宽度以及较高的光吸收效率，适合于制造高效电

池。此外，还可以通过叠层技术做成多结砷化镓基电池，以进一步提高转换效率。但是，由

于砷化镓基材料价格昂贵，砷化镓薄膜电池目前只在航天等特殊领域应用，离地面应用的

商业化运行还有很大距离。

为了降低光伏电池的发电成本，可采取的有效途径之一就是研发和应用砷化镓薄膜电