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III-V 薄膜在太阳能光伏中的应用

随着近几年来国际上对替代能源和可再生能源的兴趣日益高涨,太阳能光伏市场也在

迅速扩大,当前由晶体硅太阳能电池占据市场的主导地位。然而,一些基于薄膜设备的技术
正不断涌现且发展迅速,以致该领域成为增长速度最快的领域之一,以满足未来太阳能光
伏的要求。预计到

2012 年,随着薄膜生产技术的不断增长,其生产能力将略超过现有总太

阳能光伏生产的

30%(见图 1)。

 

在薄膜太阳能电池制造方面,化学浴沉积法和近空间升华法等技术正在带动其发展,

CVD(化学气相沉积)应用于玻璃和其他基质的大面积处理技术也在市场上占重要部分。
太阳能光伏生产中使用的活性薄膜的材料系统包括:碲化镉(

CdTe)基材料、碲铟镓硒

CIGS)基材料和 III-V 材料,当然,也包括硅,彼此相互竞争。

 

 
  

III-V 生产需要考虑的问题

 
  对于各种太阳能电池来说,活性区域在吸收阳光方面的效率各不相同。在
III-V 领域,光能转换为电能的效率在照射水平非常高的情况下最好,因此,需
要使用聚光器技术聚集近

500 倍的阳光强度到活性区域上,以获得最佳效果。

在对活性组件要求较高的状况下,整个电池的结构必须完整,且高度纯净,不
包含任何主要污染物,以避免因非发光中心和热量过高导致额外的内部损失 。
III-V 半导体沉积领域的重要经验可通过高亮度 LED 生产技术得以验证,因为,
要 获 得 最 高 设 备 性 能 , 纯 净 度 和 控 制 需 达 到 类 似 的 要 求 。 最 近 , 德 国