少子寿命测试及表面处理和钝化方法解

析

少数载流子寿命

(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数，它对半导体器件的性

能、太阳能电池的效率都有重要的影响，少子寿命高的话，电池效率相应的也高一点，少子
寿命低的话，电池效率也会相应的变低。

　　鉴于目前

 Semilab 少子寿命测试已在中国拥有众多的用户，并得到广大用户的一致认

可。现就少子寿命测试中，用户反映的一些问题做出如下说明，供您在工作中参考：

　 　

1 、 Semilabμ-PCD  微 波 光 电 导 少 子 寿 命 的 原 理 微 波 光 电 导 衰 退 法 (Microwave 

photoconductivity decay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号
的变化这两个过程。

904nm 的激光注入（对于硅，注入深度大约为 30um）产生电子-空穴对，

导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反
映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载
流子的寿命。

　　少子寿命主要反映的是材料重金属沾污及缺陷的情况。

　　

Semilab μ-PCD 符合 ASTM 国际标准 F 1535 - 00

 
　　

2、少子寿命测试的几种方法

　　通常少数载流子寿命是用实验方法测量的，各种测量方法都包括非平衡载流子的注入
和检测两个基本方面。最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很
多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿
命测试方法。近

30 年来发展了数十种测量寿命的方法，主要有：直流光电导衰退法；高频

光电导衰退法；表面光电压法；少子脉冲漂移法；微波光电导衰减法等。

对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注入方法，表面状况的不

同，探测和算法等也各不相同。因此，少子寿命测试没有绝对的精度概念，也没有国际认定
的标准样片的标准，只有重复性，分辨率的概念。对于同一样品，不同测试方法之间需要作
比对试验。但对于同是

Semilab 的设备，不论是 WT-2000 还是 WT-1000，测试结果是一致的。

μ-PCD 法相对于其他方法，有如下特点：