太阳能光伏技术入门知识（二）

在第一期中，我们为大家概括介绍了太阳能发电原理、太阳能电池、太阳能

电池组件、光伏控制器、光伏逆变器等内容。接下来将开始深入地讲解。本期我们

将着重说明太阳能电池的制造工艺详细流程、单晶硅和多晶硅的区别、单晶硅和

多晶硅电池片的区别以及逆变器的概念，将知识串连起来以便读者学习和了解。

 

 

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程 　　

 

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下： 　　

（

1）

 

切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 　　

（

2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液将硅片表

面切割损伤层除去

30－50um  

。 　　

（

3）制备绒面：用堿溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 

（

4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，

制成

PN＋结，结深一般为 0.3－0.5um  

。 　　

（

5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极

 

短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 　　

（

6）去除背面 PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面 PN

 

＋结。 　　

（

7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作