触发电流幅值：IGM=(4 至 10 倍)IGT

触发电流上升时间：tr 小于 1μs

(3)晶闸管在承受过高的 di/dt 时，会在其芯片产生局部瞬时高

温，这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此，

使用者在任何时候，都应保证 di/dt 不应超过器件生产厂家给出的规

定值，并且留有一定裕量。

(4)晶闸管的 di/dt 与其开通损耗关系极大，晶闸管高 di/dt 应用

于高频率场合时，需考虑开通损耗上升引起的结温上升，用户应考虑

降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。

综上所述，增强器件局部瞬时浪涌时的温度承受能力，即晶闸管

结温上升越小越好，就能大大提升器件的 di/dt 能力。要做到这一点，

关键是散热器的瞬态热阻要小。