状态说明从关断到导通

1、阳极电位高于是阴极电位

（1）、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通

（2）、阳极电位高于阴极电位

（3）、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关

（4）、阳极电位低于阴极电位

（5）、阳极电流小于维持电流任一条件即可

2、基本伏安特性

（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2 结正偏，但 J1、J2

结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到 J1 结的雪崩

击穿电压后，接差 J3 结也击穿，电流迅速增加，特性发生了弯曲，弯曲处的电

压 URO 叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3 结正偏，但

J2 结反偏，这与普通 PN 结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向

阻断状态，当电压增加，特性发生了弯曲，弯曲处的是 UBO 叫，正向转折电压

阳极加正向电压由于电压升高到 J2 结的雪崩击穿电压后，J2 结发生雪崩倍增效

应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入 N1 区，空穴时入 P2 区。进入

N1 区的电子与由 P1 区通过 J1 结注入 N1 区的空穴复合，同样，进入 P2 区的

空穴与由 N2 区通过 J3 结注入 P2 区的电子复合，雪崩击穿，进入 N1 区的电子

与进入 P2 区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在 N1 区就有电子积累，在 P2