过大，主可控硅还没有完全导通，大的电流主要通过相当于门极的可控硅流过，而此可控硅

的承载电流的能力是很小的，所以造成此可控硅烧坏，表面看就是门极或放大门极附近烧成

一小黑点。至于 dv/dt 其本身是不会烧坏晶闸管的，只是高的 dv/dt 会使晶闸管误触发导

通，其表面现象跟电流烧坏的现象差不多。

开通时间跟 di/dt 的关系很密切，因此其烧坏晶闸管的现象跟 di/dt 烧坏晶闸管基本类

似。

关断时间烧坏晶闸管的现象较难分析，其特点有时象电压烧坏，有时又象电流烧坏，从

实践来看象电流烧坏的时候比较多。

以上分析只是从晶闸管表面的损坏程度来判断其到底是由什么参数造成的，但无论什么

原因损坏都会在晶闸管上留下痕迹，这种痕迹大多是烧坏的黑色痕迹，而黑色痕迹就是金属

熔化的痕迹，就是说烧坏晶闸管的最根本原因是将晶闸管芯片熔化，有的是大面积熔化，有

的是小面积熔化。我们知道单晶硅的熔点是 1450℃～1550℃，只有超过这个温度才有可能

熔化，那么这么高的温度是怎么产生的呢?就晶闸管的各项参数而言即使每相参数都超出标

准很多也不会产生如此高的温度，因为温度是由电流、电压、时间三者的乘积决定的，其中

某一相超标是不会产生这么高的温度的，所以瞬时产生的高电压、大电流是不会将芯片烧坏

的，除非是高电压、大电流、长时间才会如此，但这种情况是不可能出现的，因为晶闸管一

经烧毁设备立即就会出现故障，会立即停机，时间不会很长的，因此烧坏晶闸管芯片的高温

决不是电流、电压、时间三者的乘积产生的。那么到底是怎么产生的呢?

其实无论晶闸管的那个参数造成其烧坏，最终的结果都可以归纳为电压击穿，就是说晶

闸管烧坏的最终原因都是由电压击穿造成的，其表面的烧损痕迹也是由电压击穿所引起的，

这点我们在晶闸管的应用中也能够证明：在用万用表测试烧坏的晶闸管时发现其阴极、阳极