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镕十届十目太阳能光伏音议论文集
目1
P
i—n型撇晶硅薄膜电池结构示意图
表1口…n(或日nn)型m晶《薄膜自池各;的参数
厚度dmm
带隙宽度B/eV
电子亲_噼小v
绝缘体舟电常数£Mr
}带有效卷密度N^m3
2
8xlo¨
2 8x1019
2
8x1019
竹带有效卷密度N^m3
1
0dOxl019
I㈣×10‘9
1
040x10”
电了热速度V“cm/s)
1
0xl一
1
0xlⅣ
l
0xl矿
主穴热速度V。/(cnVs)
1 0×101
l
Ox】旷
1
0x1旷
电fⅡ移率帅mW
s)
空穴矗移率h/(cml,v
s)
战吨主浓度N#cm3
ixlOm
1 0x10∞
浅受上浓度N。/cm’
1
0x10。L1
x10”
‰镕志*度N^m’
1 0x10”
1 0×101
3一l
oxl0“
1Ihl0”
3模拟结果及讨论
3
l活性层缺陷态浓度对太阳电池性能的影响
缺陷态浓度是硅薄膜材料重要的参数之一,不同的缺陷态浓度对应不同的少子寿命及迁移率,因此,薄膜
电池活性层的缺陷态浓度直接影响光生戴流于的收集效率。在表I中.取窗El层厚度d为0,03pm,窗口层掺
杂浓度N。为l Oxl01‰m3,活性层厚度为3 0Rm,研究活性层缺陷态浓度的变化对电池性能的影响。
图2蛤m了不同活性层缺陷态浓度F的电池的光谱响麻和I v特性曲线.表2是相应的电池的各特征参量。