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镕十届十目太阳能光伏音议论文集

目１

Ｐ

ｉ—ｎ型撇晶硅薄膜电池结构示意图

表１口…ｎ（或日ｎｎ）型ｍ晶《薄膜自池各；的参数

厚度ｄｍｍ

带隙宽度Ｂ／ｅＶ

电子亲＿噼小ｖ

绝缘体舟电常数￡Ｍｒ

｝带有效卷密度Ｎ＾ｍ３

２

８ｘｌｏ¨

２ ８ｘ１０１９

２

８ｘ１０１９

竹带有效卷密度Ｎ＾ｍ３

１

０ｄＯｘｌ０１９

Ｉ㈣×１０‘９

１

０４０ｘ１０”

电了热速度Ｖ“ｃｍ／ｓ）

１

０ｘｌ一

１

０ｘｌⅣ

ｌ

０ｘｌ矿

主穴热速度Ｖ。／（ｃｎＶｓ）

１ ０×１０１

ｌ

Ｏｘ】旷

１

０ｘ１旷

电ｆⅡ移率帅ｍＷ

ｓ）

空穴矗移率ｈ／（ｃｍｌ，ｖ

ｓ）

战吨主浓度Ｎ＃ｃｍ３

ｉｘｌＯｍ

１ ０ｘ１０∞

浅受上浓度Ｎ。／ｃｍ’

１

０ｘ１０。Ｌ１

ｘ１０”

‰镕志＊度Ｎ＾ｍ’

１ ０ｘ１０”

１ ０×１０１

３一ｌ

ｏｘｌ０“

１Ｉｈｌ０”

３模拟结果及讨论

３

ｌ活性层缺陷态浓度对太阳电池性能的影响

缺陷态浓度是硅薄膜材料重要的参数之一，不同的缺陷态浓度对应不同的少子寿命及迁移率，因此，薄膜

电池活性层的缺陷态浓度直接影响光生戴流于的收集效率。在表Ｉ中．取窗Ｅｌ层厚度ｄ为０，０３ｐｍ，窗口层掺

杂浓度Ｎ。为ｌ Ｏｘｌ０１‰ｍ３，活性层厚度为３ ０Ｒｍ，研究活性层缺陷态浓度的变化对电池性能的影响。

图２蛤ｍ了不同活性层缺陷态浓度Ｆ的电池的光谱响麻和Ｉ ｖ特性曲线．表２是相应的电池的各特征参量。