信息存储器件，其制备的关键技术是纳米厚度的高质量功能薄膜。当今的薄膜形成过程中能
够保持真空纯洁环境，故可以得到高质量的薄膜。物理气相沉积（

PVD）技术主要有蒸发、

溅射镀、离子镀、分子束外延和离子团束镀等。在分析了真空方法制备有机功能薄膜的几种技
术后，经比较认为，离子团束（

ICB）沉积技术用于制备有机功能薄膜是最适用的。它是将

材料蒸发经过绝热膨胀过程，电离过程形成荷电原子团，经历加速被沉积到基底上。原子在
基底表面具有较大的迁移率，这有利于薄膜的成核和晶粒生长，形成高质量的薄膜，通过
控制绝热过程，电离电压，加速电压和基底温度可以制成晶体、多晶或无定形薄膜。
       用离子团束和高真空沉积技术研制了用于超高密度信息存储的有机和金属有机纳米薄
膜，其中主要有两类：一类是银

/有机（如 Ag－CPU）复合薄膜，用扫描隧道显微镜

（

STM）的电压脉冲写入信号斑直径为 10nm，可以稳定地写入和读出 0 和 1 信号。用半导

体激光器薄膜读写装置（波长为

780nm）研究了 Ag－CPU 薄膜的光学存储特性，结果表明

光脉冲

10.4mW，宽 10μs 写入信号；7.0mW，宽 1ms 光脉冲可以擦除信号；1.1mW 可以稳

定读取信号。
另一类是有机给体

/有机受体（如 m－NBMN/DAB）纳米薄膜，其电脉冲信号写入直径

1.3nm，相应的数据记录密度为 1013bit/cm2。所记录的信号是稳定的，对写入信号点进行扫
描隧道谱（

STS）分析，表明在信号写入前薄膜是绝缘体，写入以后，呈导体特性。此种薄

膜也可以用光信号进行稳定的写入和读数。国外同行专家对此结果给予了高度评价，认为已
经接近了纳米功能元件的极限。
          有机复合信息存储薄膜研究取得的成果说明真空技术在未来的纳米电子器件的研究中
仍占有极其重要的地位。目前超高真空的获得和测量技术已经成熟，但更广泛的应用，特别
是为发展未来信息社会的关键技术一纳米电子器件中，真空技术的应用还是非常有吸引力
的课题，大量的工作有待开发。在即将到来的

21 世纪，真空技术将随着纳米电子学进入信

息社会的各个领域，发挥越来越大的作用。