身的质量要求较高，需采用载流子寿命较高（纯度较高）的硅晶片材料，一般采用质量较
高的

n 型 FZ 单晶硅作为衬底材料。正面采用氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与 n+层结合作为

前表面电场

, 并形成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成 p+与 n+交错间隔的交叉式接面，

并通过在氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区的接触。交叉排布的发射区与基
区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图

1

[3]

。

图

1(a)  IBC 电池基本结构图

图

1(b)  IBC 电池基本结构图

这种背电极的设计实现了电池正面

“零遮挡”，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十

分复杂，工艺中的难点包括

P

＋

扩散、金属电极下重扩散（丝印光阻）以及激光烧结等。

 

IBC 电池的工艺流程大致如下：
清洗

→制绒→扩散（n＋）→丝印刻蚀光阻→刻蚀 P 扩散区→扩散（p＋）→减反射镀膜

→热氧化→丝印电极→烧结→激光烧结 

（

2）MWT 电池

如前所述，

IBC 电池是在电池背面的 PN 结收集载流子，除此之外，还有一类背接触电

池是两面均可收集载流子，并可将电流由正面传导至背面。这类电池包括金属环绕穿通
（

MWT）电池和发射极环绕穿通（EWT）电池。金属环绕穿通（MWT）电池和发射极环绕

穿通（

EWT）电池技术，是基于激光表面和背面加工技术的新型太阳能电池技术。

MWT 技术是荷兰规模最大的

太阳能电池

生产商

 Solland Solar 开发的用于其 Sunweb 

电池的方法。即通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池再转移至电池背面。这种将电
池能量汇集到电池背面的方法使每块电池的输出效率提高了

2%，再经过处理并与一个太

阳能电池组件相连接，所得的输出效率甚至能提高

9%。

在金属环绕穿通（

MWT）器件（如图 2 所示）中，较薄的金属接触“手指”被移到背面。

通过激光钻微型通孔，将上表面与下表面接触连接起来，一般

MMT 每块硅片需要钻约 200

个通孔。