2、由于 H2O2 氧化作用，可在硅表面形成自然氧化膜，同时又因 HF 的作用将自然氧化层腐
蚀掉，附着在氧化膜上的金属可溶解到清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。
在

APM 清洗时附着在晶片表面的金属氢氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不会再

生长。
3、Al、Fe、Ni 等金属同 DHF 清洗一样，不会附着在晶片表面。
4、对 n+、P+ 型硅表面的腐蚀速度比 n、p 型硅表面大得多，可导致表面粗糙，因而不适合使
用于

n+、P+ 型的硅片清洗。

5、添加强氧化剂 H2O2（E0=1.776V），比 Cu2+ 离子优先从 Si 中夺取电子，因此硅表面由
于

H2O2 被氧化，Cu 以 Cu2+ 离子状态存在于清洗液中。即使硅表面附着金属 Cu，也会从

氧化剂

H2O2 夺取电子呈离子化。硅表面被氧化，形成一层自然氧化膜。因此 Cu2+ 离子和

Si 电子交换很难发生，并越来越不易附着。
四、

 DHF ＋ 界面活性剂的清洗

    据报道在 HF 0.5%的 DHF 液中加入界面活性剂，其清洗效果与 HF + H2O2 清洗有相同效
果。
五、

 DHF＋阴离子界面活性剂清洗

    据报道在 DHF 液，硅表面为负电位，粒子表面为正电位，当加入阴离子界面活性剂，可
使得硅表面和粒子表面的电位为同符号，即粒子表面电位由正变为负，与硅片表面正电位
同符号，使硅片表面和粒子表面之间产生电的排斥力，因此可防止粒子的再附着。
六、

 以 HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术

    此清洗工艺是以德国 ASTEC 公司的 AD-(ASTEC-Drying) 专利而闻名于世。其 HF/O3 清洗、
干燥均在一个工艺槽内完成

,。而传统工艺则须经多道工艺以达到去除金属污染、冲洗和干燥

的目的。在

HF / O3 清洗、干燥工艺后形成的硅片 H 表面 (H-terminal) 在其以后的工艺流程中

可按要求在臭氧气相中被重新氧化

.