图 1 RIE1min、10min、15min 后的 SEM 图片（从上而下按时间排序） 
 
 
3.绒面反射率 
用调整后的 Bruker IFS/66 分光仪与氙灯、布利希球相结合来做光谱反射

率测量。此装置允许半球反射的测量和它的漫反射分数一样。双方直接反射有一
些不同。部分测量值分别在平行以及垂直于硅片生长方向。 

 

图 2：EFG 硅片 RIE 工艺时间 1min 后的反射率（左边）和 10min 后的反射

率（右边）

，导致绒面以图 1 的顶部和中间（ll-平行/p-垂直于增长方向） 

在 400-1100nm 波段未经处理的 EFG 硅片半球反射率平均值高达 35%，包括

5%的漫反射和 30%的直接反射。RIE 绒面的 EFG 硅片表面的反射率依靠工艺条件，
尤其是等离子体的持续时间扮演重要的角色。RIE 后工艺时间 1min 的反射系数
（图 2 左）

与 10min 工艺相比是增加的

（图 2 右）

。

在近红外波长区域

（700-1000nm）

直接反射部分的差异是值得注意的。 

 
4 电池工艺步骤的应用 
 
4.1 旋涂 
通过动态旋涂技术的方法来制作 PSG 层。用 SEM（见图 3）的方法来查看在

15min200℃预烘干条件下形成的绒面。