硅集成电路流行的主要原因之一是容易在硅上形成一层极好的氧化层——
二氧化硅。这层氧化层作为绝缘体被广泛用在有源器件内部，列如上面所讲到
的场氧区以及钝化层等，有许多方法可用来生长二氧化硅，本章将介绍热氧化。
这种方法所生成的氧化层，无论底层硅体内或界面处的缺陷都最少。