材料的沉积速率
采用

AMBios 公司的

台 阶 仪 （

XP22 型 ）

测试。光、暗电导测试
是 通过

Keithly617 采

用共面蒸发铝电极测
试。激活能测试是在
真空条件下进行的。
喇 曼 散 射 光 谱 采 用
MKI Renishaw 2000 型进行测试，激光器是波长 632.8nm 的 HeNe 激光器，探测器是 CCD
制冷型，功率为

2.5mW。采用对喇曼谱进行高斯拟合计算得到晶化率。X 射线衍射谱测试采

用

D/max22500X 射线衍射仪，波长为 0.1504nm（CuKα）。

 
　　三、结果与讨论
 
　　由于硅烷浓度是影响硅薄膜材料结构敏感的沉积参数之一，因此，在固定其他沉积参
数的前提条件下，制备了不同硅烷浓度条件下的薄膜。图

2 给出了系列薄膜的沉积速率随硅

烷浓度的变化。从图中可以看出：在此实验沉积条件下，随着硅烷浓度的增加，薄膜的沉积
速率几乎线性地增加，而且沉积速率增加的斜率大于硅烷浓度增加的斜率，这说明在我们
的沉积条件下，硅烷浓度得到了有效使用。而且值得注意的是：在硅烷浓度大于

6%时，薄

膜的沉积速率已经达到

1nm/s 以上。

 

 
　　研究材料的目的
是制备出高效率的微
晶硅太阳电池。要想
获得高速、高效的微
晶硅薄膜太阳电池，
制备出高质量、高速
率的微晶硅材料是前
提。首先考察了制备
材料的电学特性，图
3 给出了系列薄膜的
　　暗电导和光敏性
随硅烷浓度的变化。从图中可以看出：总的趋势是随硅烷浓度增加，材料的暗电导在逐渐减
小，而光敏性则给出了相反的规律。这主要是由于硅烷浓度的增加，使得制备薄膜的结构由
微晶向非晶转变（图

4 和图 5）。而同非晶硅材料相比，微晶硅薄膜在电学特性上表现为暗

电导大，光敏性小。在硅烷浓度为

7%～7.5%时，制备材料的光敏性在 500～1000 之间，暗

电导在

1.0×10-6～1.2×10-6S/cm 之间。