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  图

2

   

CIGS 是 一 种

直接带隙材料,对
可见光的吸收系数
高 达

105(cm-1) ,

优于其他电池材料。
对比图

3 中的各种

薄膜电池材料吸收
系数的曲线,可知
CIGS 材 料 的 吸 收
系数最高。

CIGS 薄

膜电池的吸收层仅

1~2mm 厚,就

可将阳光全部吸收
利用。因此,

CIGS 最适合做薄膜太阳电池,其电池厚度薄且材料用量少,大大降低了对原

材料的消耗,减轻了

In 等稀有元素的资源压力。除了材料上的有点之外,CIGS 薄膜太阳能

电池还具有抗辐射能力强、发电稳定性好、弱光发电性好、并且转换效率是薄膜太阳能电池之
首,目前室内转换效率可达

20%。CIGS 材料的光吸收系数最高,吸收层可做得很薄。实际上

CIGS 薄膜电池各层叠加起的总厚度<4mm,具有充分的柔软性。沉积在金属箔或高分子塑
料薄膜上,就成为可折叠、弯曲的柔性电池。

  图

3:

吸收系数对

   

CuInG

aSe2 是 在
CuInSe2

基 础 上 掺 杂
Ga 部 分 取
代 同 一 族 的
In 原 子 而
形 成 的

. 通

过 调 整

Ga/

(In+Ga)

原 子 分 数 比
可使点阵常数

c/a 在 2.01(CIS)和 1.96(CGS)之间变化,还可以改变 CIGS 的禁带宽度,使其值在

1.04eV(CIS)和 1.67eV(CGS)之间变化。这也是 CIGS 电池一个非常大的优势所在能够实现太
阳光谱和禁带宽度的优化匹配

Ga 对 CuInSe2 薄膜禁带宽度 Eg(eV)的影响满足下式: