玻璃陶瓷。选择热

CVD 是因为它的生长速率高，而且可以获得高质量的晶体。然而这样的选

择却限定了只能使用陶瓷等耐热衬底材料。这项技术还不像其它薄膜技术那样成熟，但已经
表现出使成本降低的巨大潜力。

　　采用薄膜
PV 技术已经
能够提高太阳
能电池的效率
或简化其工艺，
并将降低其成
本。但目前还
没有人能够同
时将这两方面
结合起来。然
而，最近的一
些研究结果已经在正确的方向上又前进了必要的一步。

　　外延电池的改进

　　外延薄膜硅太阳能电池的效率不算太高（半工业化丝网印刷技术制作的电池约为
12%），这限制了光伏业界对这种电池类型的关注程度。它可以获得与体硅太阳能电池相当
的开路电压和填充因子（单晶硅太阳能电池为

±77.8%）。然而，短路电流（Jsc ）受限于薄

的光学有源层（

<20um）。穿透外延层的光会被高掺杂、低质量的衬底收集而损失掉。因此，

这两种太阳能电池技术之间的短路电流相差

7 mA/cm2 并不少见。体硅太阳能电池的 Jsc 典

型值约为

33 mA/cm2，而外延薄膜电池的平均值约为 26 mA/cm2。

　　然而，两项独立的电池级开发成果已经使这种状况有所改善

2。通过增大薄的有源层内

的光程长度，我们报导的丝网印刷外延电池的

Jsc 达到 30 mA/cm2，效率达到 13.8%。

　　对这些结
果有贡献的第
一项改进是采
用氟基等离子
体粗糙处理得
到的表面光散
射（图

3）。

理想情况下，
这种经过粗糙
处理的有源层
表面会使光