“
”
运行：点击计算机监控程序界面上的 工艺运行 键，进入工艺运行登陆界面，选择规
“
”
定的工艺号；确认无误后点击 运行 按钮。系统开始运行。
工艺过程：
M5111—4W*/UM 系列软着陆闭管高温扩散/氧化系统
放舟（
400s →
） 恒温
(600s)→氧化(600s)→等待(600s)→扩散(600s)→深扩散
(800s)→氧化(300s)→氧化(300s)→取舟(500s)
POCL
3
==PCL
5
+P
2
O
5
PCL
5
+O
2
==P
2
O
5
+CL
2
↑
P
2
O
5
+Si==SiO
2
+P
↓
放舟：将石英舟推入石英炉管内。
恒温：放到高温石英管中的硅片达到恒定温定。
氧化：通氧，在硅片表面形成很薄的一层氧化层，调节扩散的速度与均匀性。
等待：有氮气流过液态磷源，携带气态的三氯氧磷到扩散管中，通过高温分解及氧化
形成五氧化二磷。
扩散：五氧化二磷与硅片表面的硅原子反应生成二氧化硅与磷原子，磷原子夹杂在二
氧化硅中，这层夹杂着磷原子的二氧化硅层称为磷硅玻璃层，磷原子在高温下开始向硅内
部扩散。
深扩散：在高温下进一步使磷原子向硅内部扩散。
氧化：停止通入磷原，只通入氧气，使已经形成的磷原子继续向硅内部扩散。
氧化：继续通入氧气。
取舟：停止通入氧气，将已经完成扩散的硅片从高温炉管中取出，由于硅片温度很高
因此需要控制取出的速度。
为确认扩散过程达到工艺要求，需要对已扩散的硅片测试方块电阻。所用仪器
SDY
—4
型四探针测试仪，每舟测两片，每片测
5 点，得平均值，算出相对偏差。
各因素对硅片方块电阻的影响：
温度：温度高时掺杂速度加快，方块电阻减小；
三氯氧磷：随着三氯氧磷温度和浓度的升高，扩散速度加快，方块电阻减小；
时间：随着时间的延长，扩散量增加，方块电阻减小；
通氧量：过多的通氧量会在表面形成较厚的氧化层，减缓磷原子扩散速度，使方块电
阻变大，过少的通氧量又使五氯化磷不能完全氧化成五氧化二磷，扩散量偏少，增大方块
电阻。
2.4 刻蚀
原理：扩散后的硅片周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路，
须将它除去，所以需要刻蚀操作。
利用辉光放电生成的氟离子和硅发生反应，生成挥发性产物
SiF4,可以达到边缘刻蚀
的目的。刻蚀过程的化学反应：
CF
4
==2F+CF
2
SiO
4
+4F==SiF
4
↑+2O
SiO
2
+2CF
4
==SiF
4
↑+2CO↑
环境：
温度：
15
—30℃ 清洁等级：10000 级
光伏新线志圣刻蚀机操作
电气点检：电源确认；
气路确认：检查
CDA，N
2
，
O
2
,CF
4
以及
Dry Pump 气体压力是否符合要求，CDA 和主