PI 衬底柔性 a-Si 薄膜太阳电池材料生长顺序 Ag/ZnO、a-Si（N-I-P）、ITO。最后生长的

ITO 材料禁带宽度大，对可见光的吸收性能很差。ITO 在激光刻蚀时受下层材料影响，激光
能量被下方的

a-Si 层吸收，容易导致电池短路。因此，在内联组件结构设计中，ITO 绝缘槽

刻蚀采用化学刻蚀的方式。
　　图

1 是内联组件的结构图示，这种结构采用深度选择性激光刻蚀、丝网印刷及化学刻蚀

等工艺共同完成。在制备的

a-Si 太阳电池片上利用化学刻蚀浆料，刻蚀出一系列平行的 ITO

绝缘槽，并在

ITO 刻蚀槽内实现深度选择性激光刻蚀（(P1、P2)，其中，P1 刻槽要求完全

刻蚀掉

a-Si 层及 Ag/ZnO 层，将绝缘浆料填充在 P1 刻槽内。P2 刻槽要求完全刻蚀掉 a-Si 层，

可部分伤及

Ag/ZnO 层，采用丝网印刷方式将导电浆料填充在 P2 刻槽内， 起到相邻子电池

间串联的作用。

图

1 PI 衬底柔性

a-Si 薄膜太阳电

池内联组件结构

图示

　　

3.2 刻槽 P1 的

激光刻蚀
　　第一次深度选择性激光刻蚀（

P1）在整个组件结构中起到电学绝缘的作用。刻槽 P1 将

一个电池分割成多个子电池，子电池的背电极完全隔离开。在加工的过程中

a-Si 层及

Ag/ZnO 层被完全刻蚀掉，可少量损伤 PI 衬底材料。实验中 P1 刻蚀采用 1064nm 激光进行刻
蚀，得到刻蚀宽约

35mm，刻蚀深度约为 800nm 的刻槽，如图 2 所示。

　　在内联组件的制备中，采用绝缘浆料填充刻槽

P1。由于导电浆料印刷时会经过刻槽 P1

及填充的绝缘浆料上方，为防止

P1 刻槽出现短路，填充的绝缘浆料必须非常致密，中间不

能有任何空洞存在。同时为了防止印刷的导电浆料出现断栅，绝缘浆料的厚度不能很高。在
组件制备中，印刷的缘浆料厚度在

10mm 以内，电阻大于 20MW。

图

2 P1 刻槽的

3D 激光扫描显微

镜图

　　刻槽

P1 填充

的绝缘浆料的绝缘
性能通过图

3 所示

的结构进行测试，
在溅射

Ag/ZnO 材

料上印刷绝缘浆料，
绝缘浆料厚度小于
10mm，绝缘浆料
之上印刷导电银浆，
测试

Ag/ZnO 与银

浆之间的电阻，测
得两者之间的电阻
值大于

20MW，绝缘浆料的绝缘性达到要求。