（

1）无接触、无损伤、快速测试

　　（

2）能够测试较低寿命

　　（

3）能够测试低电阻率的样品（最低可以测 0.01ohmcm 的样品）

　　（

4）既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试

硅片

，电池

　　（

5）样品没有经过钝化处理就可以直接测试

　　（

6）既可以测试 P 型材料，也可以测试 N 型材料

　　（

7）对测试样品的厚度没有严格的要求

　　（

8）该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法

　　

3、表面处理和钝化的原因

　　

μ-PCD 测试的是少子有效寿命，它受两个因素影响：体寿命和表面寿命。

　　测试的少子寿命可由下式表示

　　

τdiff 为少子从样品体内扩散到表面所需时间。τsurf 为由于样品表面复合产生的表面

寿命，

τmeas 为样品的测试寿命， d 为样品厚度， Dn，Dp 分别为电子和空穴的扩散系

数；

S 为表面复合速度。

　　由式（

3-01）可知，表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，图 3-02 是

体寿命与测试寿命的关系。在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合
速率很大，则在测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低
体寿命的样品，不会使少子寿命降低很多。因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品
的表面复合速率。从图

3-02 我们可以看到，对于表面复合速率 S 为 1cm/s，或 10cm/s 的

样品，即使在

1000μs 数量级的体寿命，测试寿命还是与体寿命偏差很小。即当样品的表

面复合速率为

10cm/s 或更小的情况下，对于 1000μs 数量级高体寿命的样品，测试寿命

也能用来表示体寿命。