管的反向击穿电压就是重点之一。为了提高晶体管的反射击穿电压，芯片投料

时，就会对材料进行优化，优化的考虑是在最差的工艺加工情况下，所生产出

的晶体管反向击穿电压也要比规格书高 10~20%，而在生产控制时，为了达到

生产工艺设计时的指标，又会考虑在最差的情况下，使产品能够达到设计要求，

这样，就使已经被放大过一次的指标再次被大 10~20%。这样，就使原来只要

求反向击穿电压达到 20~30V 的晶体管，在实测时，部分就能达到 60V 以上，

甚至更高。这就是为什么有时一些晶体管的反向击穿电压实测值会远大于规格

书的原因。尽管一些晶体管的反向击穿电压值远大于规格书，那么，是否就可

以以实测值来作为使用的依据呢?回答是否定的。

这是因为，所有的晶体管测试程序，都是以规格书上所提供的参数范围，

来作为差别晶体管合格与否的标准。对反向击穿电压而言，只要比规格书上所

规定的值大，就判为合格。如果你测量到的反向击穿电压要远高于规格书，不

要以为供应商以后发给你的货，都是具有与此相同的电压特性，供应商所提供

的商品，永远只会承诺以规格书为准，也只能是以规格书为准提供商品。规格

书上所承诺的，是实际的，而其它，都是虚的。因此，建议在设计选型时，一

定要以规格书为准，并留下足够的余量，而不是以实物的测试值为准。