区就有空穴积累，结果使 P2 区的电位升高，N1 区的电位下降，J2 结变成正偏，

只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。这时 J1、J2、J3 三个

结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的

PN 结正向特性相似。

3、触发导通在控制极 G 上加入正向电压时因 J3 正偏，P2 区的空穴时入

N2 区，N2 区的电子进入 P2 区，形成触发电流 IGT。在可控硅的内部正反馈作

用的基础上，加上 IGT 的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性 OA 段左移，

IGT 越大，特性左移越快。