GB/T ××××－200×

2

表1

项目

要求

电阻率，Ω·cm

1.0∽3.0

导电类型

P 型

少数载流子寿命（裸测最小值）

，μs

≥2

氧浓度，atoms/cm

3

≤

1×10

18

碳浓度，atoms/cm

3

≤5×10

17

基体金属杂质，ppmw

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(

Total metal impurities)总金属杂质含量：≤1

硼浓度

≤0.30

磷浓度

≤0.40

5.3

结构及表面质量

5.3.1 太阳能级多晶硅块中不允许出现氧化夹层；
5.3.2 太阳能级多晶硅块 IR 检测结果不可出现阴影、杂质、裂纹、微晶；
5.3.3 太阳能级多晶硅块表面粗糙度 Ra≤0.2μm；
5.3.4 太阳能级多晶硅块几何尺寸偏差不超过±0.5mm。

6

试验方法

6.1

太阳能级多晶硅块的外观检验用目测检查；

6.2

太阳能级多晶硅块电阻率检验按 GB/T 1552 或 GB/T 6616 进行；

6.3

太阳能级多晶硅块导电类型检验按 GB/T 1550 进行；

6.4

太阳能级多晶硅块少数载流子寿命检验按 GB/T 1553 进行；

6.5

太阳能级多晶硅块的氧含量检验按 GB/T 1557 进行；

6.6

太阳能级多晶硅块的碳含量检验按 GB/T 1558 进行；

6.7

太阳能级多晶硅块基体金属杂质按照 SEMI MF1389-0704 测试；

6.8

太阳能级多晶硅块断面夹层检验按 GB/T 4061 测试；

6.9

太阳能级多晶硅块 IR 检测方法：将太阳能级多晶硅块至于 850μm 红外光源下，通过摄像机观察

成像效果。
6.10 太阳能级多晶硅块表面粗糙度用表面粗糙度测试仪测得，测试点在所试表面随机获得。测试要求
测量硅块的相邻两侧面，两端面不用测量。
6.11 太阳能级多晶硅块几何尺寸采用通用量具测得，但最小精度应不小于0.02mm

7

检验规则

7.1

检验分类

检验分：出厂检验和型式试验。

7.2

出厂检验

7.2.1

每批产品应经供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并附有

产品质量合格的技术文件，方可出厂；
7.2.2

出厂检验项目包括 4.1、5.1、5.2 中的电阻率、导电类型及少数载流子寿命和 5.3.2、5.3.3、

5.3.4 项。
7.3

判定规则

7.3.1

每批产品的检验项目均采用全数检验，或由供需双方协商解决。

7.3.2

合格质量水平

(AQL)规定为 Ac=0，Re=1，或由供需双方协商解决。