过它的容量及耐压都较低。

除特别定制外，面对一般品，想要降低它的漏电流可设法提高

Vs 对 Vr 的比值 。

Vs 是涌浪电压，其值当然比 Vr 额定电压高，但施加电压(真正的工作电压)还应该比
Vr 低，例如取 Vr 的 90%;找高耐压品种可说是完全正确。

等效串联电阻

ESR

一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗，比较重要的就是

ESR 等效串联

电阻及

ESL 等效串联电感─这就是容抗的基础。电容器提供电容量，要电阻干嘛?故

ESR 及 ESL 也要求低…低;但 low ESR/low ESL 通常都是高级系列。

ESR 的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度…都有关，当额定电压固定时，

容量愈大

 ESR 愈低。有人习用将多颗小电容并接成一颗大电容以降低阻抗，其理论

是电阻并联阻值降低。但若考虑电容接脚焊点的阻抗，以小并大，不见得一定会有收
获。

反过来说，当容量固定时，选用高

WV 额定电压的品种也能降低 ESR;故耐压高

确实好处多多。频率的影响：低频时

ESR 高，高频时 ESR 低;当然，高温也会造成

ESR 的提升。

串联等效电阻

ESR 的单位是 mΩ，高级系列电容常是 low ESR 及 low ESL。若比

较低内阻及低漏电流两种特性，则低内阻容易达成，故标示

low ESR 的电容倒很常

见。

ESR 与损失角有关联，ESR=tanδ/(ω×Cs)，Cs 是电容量。

有时电容器规格上会有

Z，它与 ESR 的意义不同，但 Z 的计算示与 ESR 有关，

同时也考虑到容抗及感抗，是真正的内阻。刚才提到电容的

ESR 单位是 mΩ，那是指

大电容，若是

220μF 小容量电容，其 ESR 单位就不是 mΩ 而是 Ω。何种电容器的 ESR

最低

?答案只有一个：Sanyo 的 OS 有机半导体电容!

涟波电流

Irac

前面谈到的散逸因数

DF-损失角 tanδ、漏电流、ESR-串联等效电阻…等，其值都

是愈低愈好，但现在要提的涟波电流

ripple current 却是愈高愈好。特别是现在都特别

讲究後级扩大机要有大电流输出，电源平滑滤波电容器的涟波电流

Irac(或 Iac)就显

得格外突出。

涟波电流

Irac 的标示至少应有低频及高频工作时两种规格数字，低频大约是以

120Hz 做标准，高频大概是以 10KHz 做标准，但不同制造厂商可能会有略微的差别。

涟波电流与频率刚好成正比，因此低频时涟波电流也比较低。可是对我们音响迷

来说，低频段的

Irac 值才是重要。所以在采购电容器时，涟波电流数字高低是极为重

要的依据。在一般状况下，同品牌时，锁螺丝式电容的涟波电流通常比

snap-in 插 PC

板式来得高。

曾经有一种说法：

RIFA 的 10000μF 相当於其它厂牌 15000μF，因为大部份日制

电容的涟波电流都不高，而

RIFA 又特别高，故好像可以一个当两个用。德国

Siemens、英国 BHC 电容，在 Irac 这项特性上也常优於日制品。就笔者所知，Irac 最大
的电容，是

Siemens SIKOREL 系列电容为最高，6800μF/63V 就高达 20A!若是小容

量电容，

Irac 最大的是 Sanyo OS 电容。