什么是
AM1.5? 太阳能标准测试条件 AM1.5、1000W/m2、25℃解释
1、标准测试条件 AM1.5、1000W/m
2
、
25℃解释？
http://hi.baidu.com/photovoltaic
AM1.5、1000W/m
2
、
25℃是 IEC61646--地面用薄膜型光伏组件设计和定
型
(GB/T18911-2002)的测试标准。也是 GB/T11011-1989--非晶硅太阳电池
电性能测试的一般规定的测试标准。
AM 的意思是 air-mass
（大气质量）， 定义是：
Path-length through
the atmosphere relative to vertical thickness of the atmosphere，就
是光线通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度。
AM1.5 就是光线通过大气的实
际距离为大气垂直厚度的
1.5 倍。
http://hi.baidu.com/photovoltaic
1000W/m
2
是标准测试太阳电池的光线的辐照度。
25ºC 就是在 25ºC 的温度下工作。太阳电池效率会随温度升高有一定下降，
它在使用时温度会升高，再由温度系数就可以得出他工作时的电压电流和输出
功率。
2、为什么会有光致衰减（S-W 效应）?
光致衰减也称
S-W 效应。a-Si∶H 薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，
在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为
Staebler-Wronski 效应
（
D.L.Staebler 和 C.R.Wronski 最早发现的）。
对
S-W 效应的起因，至今仍有不少争议，造成衰退的微观机制也尚无定论，
成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为，
S-W 效应起因于光
照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态
(深能级)，这种缺陷态会影响 a-Si∶H
薄膜材料的费米能级
E
f
的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面
引起光学性能的变化，另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电
子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降 。
http://hi.baidu.com/photovoltaic
在
a-Si∶H 薄膜材料中，能够稳定存在的是 Si-H 键和与晶体硅类似的 Si-Si
键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于
a-Si∶H 材料结构上的无序，使得一
些
Si-Si 键的键长和键角发生变化而使 Si-Si 键处于应变状态。高应变 Si-Si 键的
化学势与
H 相当，可以被外界能量打断，形成 Si-H 键或重新组成更强的 Si-Si
键。如果断裂的应变
Si-Si 键没有重构，则 a-Si∶H 薄膜的悬挂键密度增加。为了
更好地理解
S-W 效应产生的机理并控制 a-Si∶H 薄膜中的悬挂键，以期寻找稳定
化处理方法和工艺，
20 多年来，国内外科学工作者进行了不懈的努力，提出了
大量的物理模型，主要有弱键断裂
(SJT)
“
模型、
H
”
玻璃 模型、
H 碰撞模型、Si-H-
Si
“
桥键形成模型、
defect pool”模型等，但至今仍没有形成统一的观点。
3、晶体硅太阳电池使用寿命、衰减趋势、衰减率？
常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺
20 或 25 年（一般组件出厂有质保
书，保证什么时候衰减到多少），晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入