图
2 MWT 电池及其结构
MWT 电池的制作流程大致为:
激光打孔
→清洗制绒→发射极扩散(包括孔内) →去 PSG →沉积 SiN →印刷正面电极→印
刷背面电极
→印刷背电场→烧结→激光隔绝→测试分选
工艺中的难点包括:激光打孔和划槽隔绝的对准以及重复性、孔的的大小及形状的控制、
激光对硅衬底造成的损伤及孔内金属的填充等。
(
3)EWT 电池
与
MWT 电池不同的是,在发射极环绕穿通(EWT)器件(如图 3 所示)中,传递功
率的栅线也被转移至背面,使得上表面完全没有金属。与
MWT 电池类似,EWT 电池也是
通过在电池上钻微型通孔来连接上、下表面。相比较于
MMT 的每块硅片钻约 200 个通孔,
EWT 要求每块硅片上大约有 2 万个这种通孔,故激光钻孔成为唯一可满足商业规模速度的
工艺。
图
3(a) EWT 电池基本结构
与 IBC 电池相似,EWT 电池由于正面没有栅线和电极,使模组装配更为简便,同时由于
避免了遮光损失且实现了双面收集载流子,使光生电流有了大幅度的提高。但相对光生电流
而言,
EWT 电池填充因子和光生电压仍需进一步提高。
用于工业化大面积(大于
10
×10cm
2
)硅片的
EWT 电池工艺多采用丝网印刷和激光技
术,并对硅片质量具有一定的要求,这为
EWT 电池工艺技术提出了诸多要求,比如无损
伤激光切割的实现、丝网印刷对电极形状的限制、孔内金属的填充深度以及发射极串联电阻
的优化(发射极串联电阻受硅片厚度、发射极体电阻和孔洞直径的影响)等。
EWT 电池的主要工艺流程如图 3(b)所示
[4]
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