光电集成电路与单

片集成系统杠光电集成
电路

(0FJC)的研制方面，GaAs 工艺已经趋于成熟。单片的光发射机和光接收机已经在 10 Gb

／

s 的超高数据速率上研制成功。作者参与研制成功的激光驱动器加激光二极管单片光发射

机芯片，其最高工作速率已超过

5 Gb/s。并在 2．5 Gb/s 上做出了 10 路发射列阵。

GaAs 激光发射 OEIC 的一大缺憾在于其激光二极管发光波长在 850 nm 附近，只能用

于短距离的光互连网络中。在远程光纤通信方面，

InP 成为主导材料，因为其发光器件的光

波长恰好可以调到光纤的

1．3 和 1．55μ m 附近两个光窗口内。因此，InP 材料一方面用于

制作光纤通信用的发光和激光二极管，另一方面用于制作光纤通信用

OEIC。

3 我国光纤通信用集成电路技术的现状和发展方向

我国在光纤通信的建设方面已经取得长足进步。已建成几十条光缆通信电路，总长度达

100000km。在光纤通信用 1．3μm 和 1．55μm 量子分布反馈激光器，光纤放大器(EDFA)，
激光调制器和系统集成等技术方面已取得了瞩目成绩，

OEIC 的关键技术也已经获得突破。

然而，我国光纤通信技术的整体还是落后的。已建和在建的光纤通信干线系统几乎全都

是从国外引进的，而在我国自己开发的系统中，大部分的器件和几乎全部的关键高速集成
电路都是进口的。

为了改变我国集成电路研制的落后局面，我们一方面要继续完善和提高现有工艺线的

技术水平和理电路和主处理电路。另一方面要多总结经验教训，进一步发展光纤通信技术。

4 结语

总之，若要光纤通信加快发展，发挥人才资源和智力资源方面的优势，提高集成电路

设计水平，设计并实现具有自己知识产权、包括光纤通信在内的各种信息产业用集成电路。
要以系统应用和市场需要带动研究和开发，走产学研结合的道路。只有这样，才能在建立国
家信息基础设施的进程中，赶上世界潮流，为国家创造出巨大财富。

参考文献

[1]石东海．单片机数据通信技术从入门到精通[M]西安：西安电子科技大学出版社.

[2]Y．齐维迪斯等编，石秉学等译.ISI 电信电路设计[M].北京：人民邮电出版杜.

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