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般用金属网格覆盖

p-n 结(如图 梳状电极),以增加入射光的面积。 

  另外硅表面非常光亮,会反射掉大量的太阳光,不能被电池利用。为此,科学家们给它
涂上了一层反射系数非常小的保护膜(如图),实际工业生产基本都是用化学气相沉积沉
积一层氮化硅膜,厚度在

1000 埃左右。将反射损失减小到 5%甚至更小。一个电池所能提供

的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是

36 个)并联或串联起来使用,形

成太阳能光电板。

 

2.硅太阳能电池的生产流程 

     通常的晶体硅太阳能电池是在厚度 350~450μm 的高质量硅片上制成的,这种硅片从提
拉或浇铸的硅锭上锯割而成。

 

     上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学
气相沉积法,包括低压化学气相沉积(

LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工

艺。此外,液相外延法(

LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。  

     化学气相沉积主要是以 SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4 或 SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下
反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用

Si、SiO2、Si3N4 等。但研究发现,

在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用

 

LPCVD 在 衬底上沉积一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火,得到较大的晶粒,
然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环

 节,

目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺
外,另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术,这样制得的

 太阳能电池转换效率

明显提高。