图 3：在 EFG 硅片的 RIE 绒面上旋涂掺杂沉积后形成 PSG 的 SEM 图片 
 
PSG 覆盖了整个硅片的表面可以填满狭窄尖峰之间的空隙，和凹陷的纵横比

没有关系。由于溶剂的挥发，预烘干过程中 PSG 收缩。 

 
4.2 扩散 
由 90%氮气和 10%氧气组成的气流在 875℃条件下运用快速热处理进行扩散

工艺。这个工艺步骤应用于 10 片强烈制绒后的 EFG 硅片与图 1 底部的一致，和
4 片没有制绒的 EFG 硅片相比为目的。扩散后的 PSG 通过 HF 湿法刻蚀去除。 

快速热处理前后的 MWPCD（微波光电导衰退法）测量值显示制绒的和没制绒

的有效少子寿命都有所增加。制绒后增加延续 5%-110%，没制绒的延续 37%-97%。
很明显这种影响是由于磷吸杂引起的。 

 
4.3 钝化/低温退火 
 
为了获得充足的开路电压表面钝化是必要的。制绒样品在磷扩散之后，在

350℃运用 PECVD 镀 SiN 膜。膜厚相当于平坦表面上的 80nm。浆料烧结后完成太
阳电池制造工艺。因为热处理步骤影响 SiN 膜的密度因而不同绒面的样品在氮气
气氛中进行热处理后有不同的反射习性。在图 4，左边是一个在氮气气氛中退火
的较少绒面上镀 SiN 膜具有代表性的例子。为了将缺陷移除样品又用 SF6 等离子
体进行刻蚀。上面提到的工艺步骤主要影响直接反射。SiN 镀膜之后在 530-930nm
波段直接反射部分得到增长半球反射率部分数值达到 10%以上。低温退火改变了
膜的光学特性可以获得低于 4%的反射率。中等绒面的表面表现出另一种现象（见
图 4，右）SiN 沉积之后反射率降低，尤其在接近近红外区域。热处理低温退火
带来了新的改善。 

 

图 4：较少绒面和中等绒面 RIE 后绒面表面的反射率（左：1min 工艺时间，右-3
工艺时间），附加 SiN 镀层（+SiN）和热处理气温退火（+SiN+T） 
 
强烈的绒面表面（像图 1-底部）SiN 沉积和热处理低温退火后反射率几乎没有改
变。 
 
5.结论 
RIE 是一种完成 EFG 硅片制绒的有用的工具。更不用说较少绒面片子的半球反射
率在波段 400-1000nm 范围内可低于 4%。通过类似于减反膜镀层/钝化，热处理
低温退火等进一步的典型太阳电池工艺步骤可以显著的减少它的反射率。