时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值

P/d，此即方块电阻定义：

 

R□=P/d，式中 R□单位为：奥姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与 IOT 膜层电阻率 P 和
ITO 膜厚 d 有关且 ITO 膜阻值越低，膜厚越大。

　　目前在高档

STN 液晶显示屏中所用 ITO 玻璃，其 R□可达 10Ω/□左右，膜厚为 100-

200um，而一般低档 TN 产品的 ITO 玻璃 R□为 100-300Ω/□，膜厚为 20-30um。

　　在进行

LCD 走线设计时，由 ITO 阻计算方式，可知影响 ITO 阻值有如下因素：

　　

1、ITO 玻璃之方块电阻

　　要确保走线电阻小，应酬让

ITO 玻璃方块电阻小，因为 R□=P/d，则必须选 P 小，d 适

当大些的材料。

　　

2、L1/L2

　　

L1/L2 即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比，在 R□一定时，要保证走线

电阻值小，就要让

L1/L2 小，当 L1 一定时，只有增大 L2，也说法是在设计时，走线应尽

可能加宽

;而当 L2 一定时，L1 就要小，即走线宽度一定时，细线应尽可能短。

　　

3、在 LCD 显示屏设计当中，不仅要考虑走线布对 ITO 阻值的影响，还要考虑生产工艺

对

ITO 阻值的影响，以便选择适当方块电阻的 ITO 玻璃，以便设计到制作的全面控制，生

产高对比的

LCD 产品，这时高占空比及 COG 产品无为重要，如 ITO 膜厚的均匀性，因为

ITO 的耙材及工艺的为稳定，会使同样长度与宽度的 ITO 阻值发生变化，如目标值为 10Ω
时，其

R□范围在 8-12Ω 之间，所以在生产中要使用 ITO 膜厚均匀的导电玻璃，以减少电阻

的变化，其次为

ITO 玻璃的耐高温时性，酸碱性，因为通常 LCD 生产工艺中要使用高温烘

烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在

300°C *30min 的环境中，会使 R□增大 2-3 倍，而在

10wt%NaOH*5min 及 6wt%HCL*2min（60°C）下也会增到 1。1 倍左右，由此可知，在生产
工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避免，则应尽量在低温下进行并尽量
缩短动作时间。

　　

4、由于在液晶显示器中，ITO 方块电阻等效于电路图中的分压电阻，其阻值大小直接

影响电路两端电压的大小，即方块电阻越大，

LCD 值电压越大。有数据表明，ITO 之方块电

阻由

100Ω/□降至 60Ω/□。（Cell Gap 为 6um）左右，Vth 值会降低 0。03V 左右。