　　为进一步确
定制备材料的质
量，对其进行了
X 射线衍射的测
试分析。图

4 给

出了制备薄膜的
X 射线衍射测试
结果。从图中很
清楚地看出：在
此实验研究的硅
烷浓度范围内，薄膜显示出了（

220）的择优取向，而且在此实验范围内，随硅烷浓度的增

加，（

220）择优取向的强度逐渐降低。当硅烷浓度达到 8%和 9%时，X 射线衍射结果显示

制备的材料是非晶硅，因为其没有任何衍射峰出现。

　　对于微晶硅薄膜
和非晶硅薄膜结构特
性最有效的衡量手段
之一就是喇曼散射光
谱。图

5 给出了系列

薄膜对应的喇曼光谱
测试结果。从图中可
以看出：随氢稀释的
增加（硅烷浓度的减
小），制备材料对应
　　晶化峰所在位置的强度逐渐增强。在硅烷浓度为

9%时，薄膜的喇曼谱显示其为非晶硅

薄膜，因为仅在

480cm-1 处出现了典型的非晶硅的类 TO 模。而当硅烷浓度为 8%时，材料

的结构发生了微小的变化，因为在

480cm-1 处的右端长波数方向出现了“峰包”，此“峰包”

的出现意味着材料有一定程度的晶化，用高斯三峰拟合进行了分析，其晶化率为

5%。随硅

烷浓度的进一步减小，材料的晶化率则逐渐地增加。

　　综合上面的分析可
知：当硅烷浓度为