可以使用铝或者硼作为

n 型硅片的掺杂剂制作发射极。虽然铝制发射极通常在合金化过

程中形成，但在

SunPower 和英利的电池制造过程中已经开始使用硼扩散。与三氯氧磷

（

POCl3）为扩散氛围的工艺相似，在这种情况下，分批式扩散的工艺中，三溴化硼

(BBr3)中的硼扩散也涉及到了母体的增加。三溴化硼(BBr3)分解并与氧反应生成了氧化硼，
氧化硼继而沉积在硅片上。

　　在这里，它与硅反应形成硼硅玻璃，即掺杂源。由于硼在硅中的扩散系数比磷小，因此
需要更高的温度和时间达到同等的发射极方块电阻。

　　综上，除非新的制造或工艺技术出现，热扩散仍将继续保持行业标准的主导地位。随着
金属化和其他工艺的发展，热扩散技术也将不断优化。