与快速和标准速度的平面器件相比，开关速度为

20kHz 的超快速沟道型 IGBT 可以提

供最低的总导通损耗和开关功率损耗。同样，对于低压端开关电路，工作在

60Hz 的标准速

度

IGBT 可以提供最低的功率损耗。

研究高压

(600V)超快速沟道型 IGBT 的开关特性可以清楚地发现，这些器件工作在 20kHz

时具有最佳性能。这些器件在这些频率点可以提供最小的开关损耗，包括更低的集电极到发
射极饱和电压

(VCE(on))和总开关能量(ETS)，从而使总导通损耗和开关功率损耗保持最小。

因此，高压端功率器件通常选用超快速沟道型

IGBT，如 IRGB4062DPBF。

　　事实上，为进一步降低开关功率损耗，

IRGB4062DPBF 在同一封装内还集成了一个超

快速软恢复二极管。高压端晶体管的开关频率选在

20kHz 的另一个好处是输出电感可以做

得很小，使谐波分量的滤除非常容易。此外，这些

IGBT 不要求短路率，因为当逆变器输出

短路时，输出电感

L1 和 L2 将限制电流 di/dt，从而给控制器留出足够的反应时间。

　　此外，有短路率要求的

IGBT 可以比相同尺寸的无短路率 IGBT 提供更高的 VCE(on)和

更高的

ETS。这样，有短路率要求的 IGBT 的功率损耗会更大，从而降低电源逆变器的效率。

　　除了能在相同封装内提供更低导通和开关损耗、更大的电流密度外，超快速沟道型
IGBT 可以提供正方形反向偏置工作区和 175°的最大结点温度，并能承受 4 倍的额定电流。