6. POCl3 分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面，P2O5 与硅反应生成 SiO2 和磷原子，

并在硅片表面形成一层含

P2O5 的 SIO2(磷硅玻璃)，然后磷原子再向硅中进行扩散 。

　　影响扩散的因素：

　　

1.管内气体中杂质源浓度的大小决定着硅片 N 型区域磷浓度的大小。

　　

2.表面的杂质源达到一定程度时，将对 N 型区域的磷浓度改变影响不大。

　　

3.扩散温度和扩散时间对扩散结深影响较大。

　　

4.N 型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小。

　　安全操作：所有的石英器具都必须轻拿轻放。源瓶更换的标准操作过程。依次关闭进
气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。

　　⑷周边刻蚀

　　周边刻腐目的：

　　

1.去除硅片周边的 n 层，防止短路。

　　

2.工艺方法有等离子刻蚀和激光划边。

　　

3.我们采用等离子刻蚀机把周边 n 层刻蚀掉。

　　刻蚀方法：等离子刻蚀和湿法刻蚀。

等离子体刻蚀原理：

　　等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游
离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性
生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌

 。

　　

1.母体分子 CF4 在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。

　　

2.其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达 SiO2 表面，并在表面上发

生化学反应。

　　

3.生产过程中，CF4 中掺入 O2，这样有利于提高 Si 和 SiO2 的刻蚀速率。

　　刻蚀影响因素：刻蚀时间和射频功率

　　硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料，其质量对电池性能有很重要影响，下面以
单晶硅片举例说明：

　　一、少子寿命对电池性能的影响

　　少子寿命是指半导体材料在外界注入

(光或电)停止后，少数载流子从最大值衰减到

无注入时的初值之间的平均时间。少子寿命值越大，相应的材料质量越好

　　二、早期光致衰减对电池性能的影响

　　

1.早期光致衰减机理

　　光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降低，但经