P2 管将 VM 拉到高电平， 再经反相后从负载短路输出 OUT_L S 端输出低电平，使输出端
STAND 变为低电平，STANDB 为高电平，意味着系统可以进入 Standby 状态；一旦电池充
电开始时，

VM 端迅速被置为低电平，此时不管 OD 如何，都通过 OUT _LS 将 STAND 恢

复为高电平，系统进入正常的检测状态。

　　通过内部数字电路产生的

Standby 信号，可以有效打开或者切断模拟电路从电源到地

的直流通路，使电路在不需要的时候保持

Standby 状态，以降低电源消耗。因为只需要单个

MOS 便可充当电路的控制开关，所以这种方法简单可靠，不影响原有的模拟电路功能，

 

并且能和模拟电路低功耗设计相结合，实现低电压下电路的功耗管理。

　　亚阈值电压基准电路

　　由于电压基准源同时要给过充比较器、过放比较器、过流

1 比较器及过流 2 比较器提供

不随温度、电源电压变化而变化的基准电压，

 所以在模拟电路中起着非常重要的作用，同

时也是影响电路功耗的一大因素。本文利用

MOS 管的亚阈值特性，设计了工作在亚阈值区

的电压基准电路，

 能够满足上述功耗要求，电路结构如图 3 所示。

　　

　 　 电 路 利 用 一 个
自 偏 置 电 路 产 生 具
有 正 温 度 系 数 的 电
流 ， 该 电 流 流 过 电
阻

R0  所 产 生 的 压

降 和 具 有 负 温 度 系
数 的

PN 结 压 降 相

加 ，

  可 以 输 出 一

个 零 温 度 系 数 的 基
准 电 压

VBD ； 为

满 足 电 路 中 输 出 不
同的基准电压源，利用电阻分压将

VBD 分成了 VBI1 及 V BI2 输出。同时，为保证电路在加

上电源电压后能进入正确的工作状态，

 电路中还加入了 RC 启动电路。

　　由图

3 可见， P0 和 P1 组成电流镜，取相同的宽长比，则在 P1、P0、N0、N1 和 R5 构成

的自偏置电路中，选择合适的

R5 值，可以使 N0 和 N1 工作在亚阈值区。并且，在时亚阈值

MOS 管的漏电流 Id 可表示为：

　　　式中，

　 　 　 与 工 艺
参数有关，其中

n 为亚阈

值因子，