对于这种应用，在某一时段只有一个开关导通。一个开关可被切换到

PWM 高频下，另

一开关则在

50Hz 低频下。由于自举电路依赖于低端器件的转换，故低端器件被切换到

PWM 高频下，而高端器件被切换到 50Hz 低频下。原文位置

　　这应用采用了

600V 的功率开关，故 600V 超结 MOSFET 非常适合这个高速的开关器

件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此快速恢复超
结器件如

600V FCH47N60F 是十分理想的选择。它的 RDS(ON)为 73 毫欧，相比其它同类的

快速恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在

50Hz 下进行转换时，无需使用快速恢复特性。

这些器件具有出色的

dv/dt 和 di/dt 特性，比较标准超结 MOSFET 可提高系统的可靠性。

　　另一个值得探讨的选择是采用

FGH30N60LSD 器件。它是一颗饱和电压 VCE(SAT)只有

1.1V 的 30A/600V IGBT。其关断损耗 EOFF 非常高，达 10mJ，故只适合于低频转换。一个
50 毫欧的 MOSFET 在工作温度下导通阻抗 RDS(ON)为 100 毫欧。因此在 11A 时，具有和
IGBT 的 VCE(SAT)相同的 VDS。由于这种 IGBT 基于较旧的击穿技术，VCE(SAT)随温度的
变化不大。因此，这种

IGBT 可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。

　　

FGH30N60LSD IGBT 在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种专用拓扑的做法也

十分有用。

IGBT 在这里被用作拓扑开关。在较快速的转换时则使用常规及快速恢复超结器件。

　　对于

1200V 的专用拓扑及全桥结构，前面提到的 FGL40N120AND 是非常适合于新型

高频太阳能逆变器的开关。当专用技术需要二极管时，秘密行动

II、Hyperfast？II 二极管及

碳硅二极管是很好的解决方案。