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由 于

MOSFET 的 导 通 阻 抗 , 会 在 其 两 端 产 生 一 个 电 压 , 该 电 压 值

U=I*RDS*2, RDS 为单个 MOSFET 导通阻抗,控制 IC

上的

V-"脚对该电压值

进行检测,若负载因某种原因导致异常,使回路电流增大,当回路电流大到使

U>0.1V(该值由控制 IC 决定,不同的 IC

有不同的值)时,其

DO"脚将由高

电压转变为零电压,使

V1 由导通转为关断,从而切断了放电回路,使回路中

 

电流为零,起到过电流保护作用。

  在控制

IC 检测到过电流发生至发出关断 V1 信号之间,也有一段延时时间,

该延时时间的长短由

C3 决定,通常为 13 毫秒左右,以避免因干扰而造成误判

 

断。

  在上述控制过程中可知,其过电流检测值大小不仅取决于控制

IC 的控制值,

还取决于

MOSFET 的导通阻抗,当 MOSFET 导通阻抗越大时,对同样的控制

IC

 

,其过电流保护值越小。

  

5

   

、短路保护

  电池在对负载放电过程中,若回路电流大到使

U>0.9V(该值由控制 IC 决

定,不同的

IC 有不同的值)时,控制 IC

则判断为负载短路,其

DO"脚将迅速

由高电压转变为零电压,使

V1 由导通转为关断,从而切断放电回路,起到短

路保护作用。短路保护的延时时间极短,通常小于

7 微秒。其工作原理与过电流

保护类似,只是判断方法不同,保护延时时间也不一样。

  以上详细阐述了单节锂离子电池保护电路的工作原理,多节串联锂离子电

池的保护原理与之类似,在此不再赘述,上面电路中所用的控制

IC 为日本理光

公司的

R5421 系列,在实际的电池保护电路中,还有许多其它类型的控制

IC,如日本精工的 S-8241 系列、日本 MITSUMI 的 MM3061 系列、台湾富晶的

FS312 和 FS313 系列、台湾类比科技的 AAT8632 系列等等,其工作原理大同

小异,只是在具体参数上有所差别,有些控制

IC 为了节省外围电路,将滤波电