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氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用

氮化硅薄膜对硅片背表面的钝化作用

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简介:

采用等离子体增强化学沉积的方法(PECVD),在低衬体温度下制备不同厚度的双面氮化硅薄膜,通过准稳态电导法(QSSPCD)测试non2diffused和diffused硅片沉积不同厚度双面氮化硅薄膜烧结前后的少子寿命。

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