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PECVD法生长氮化硅工艺的研究

PECVD法生长氮化硅工艺的研究

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级别:| 积分:0 分 | 浏览:73890 | 大小:500.09KB | 下载:4078 次 | 上传:2013-09-30

简介:

采用了等离子体增强化学气相沉积法在聚 酰亚胺牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频 MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。

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