硬件电子工程师必备基础知识
简介：运算放大器通过简单的外围元件，在模拟电路和数字电路中得到非常广泛的应用。运算放大器有好些个型号，在详细的性能参数上有几个差别，但原理和应用办法一样。
文档关键字： 硬件电子工程师,运算放大镜,光敏电阻
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怎样才能成为杰出的电子工程师
简介：当今，电子工程师与条码技术人才、研发类工程师等值。面临就业市场人才储备不足的问题，并将会在未来的一段时间内保持空位等待合适人才应聘的局面
文档关键字： 电子工程师,研发类工程师
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怎样做电子工程师
简介： “工程师是科学家；工程师是艺术家；工程师也是思想家。”一位伟大的工程师曾经提出过这样的一段感言。不错，工程师是利用自然科学来创造工程的人。
文档关键字： 电子工程师,自然科学,数物化
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CIGS太阳电池的低成本制备工艺
简介：目前铜铟镓硒（CIGS）太阳电池的工业化生产基本采用真空技术制备，需要很大的设备投资，生产周期长，增加了生产成本。
文档关键字： 发电成本,光伏材料,转化效率
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薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用
简介：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术，在相对较高气压和较高功率条件下，制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料。
文档关键字： 结构特性,沉积速率,转换效率
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III-V 薄膜在太阳能光伏中的应用
简介：随着近几年来国际上对替代能源和可再生能源的兴趣日益高涨，太阳能光伏市场也在迅速扩大，当前由晶体硅太阳能电池占据市场的主导地位。
文档关键字： 薄膜设备,光能转换,电能效率
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CIGS 薄膜太阳能电池的发展前景
简介：能源危机、环境污染与温室效应是人类正面临的重大挑战, 开发新能源和可再生清洁能源成为21世纪最具决定影响的技术领域之一。
文档关键字： 化石能源,太阳能电池,薄膜电池
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退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响
简介：通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火..
文档关键字： PECVD法,非晶硅薄膜,多晶硅薄膜
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低应力PECVD氮化硅薄膜的制备
简介：研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右。
文档关键字： PECVD,射频,混频,氮化硅,应力
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非晶硅太阳电池减反射膜的设计
简介：基于非晶硅太阳电池的工作原理，对其减反射膜进行研究．根据四分之一波长作用原理得到反射率最小时的厚度优化参数．
文档关键字： 非晶硅,减反射膜,反射率
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