您好,欢迎来到一览文库!找行业资料上一览文库!
一览( 微信公众号:yilanshequ )

一览( 微信公众号:yilanshequ )

打开微信扫一扫,即可直接关注

收藏我们 | 登录 | 注册
当前位置:一览文库> 电气电力 > 光伏 > 退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响
退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

一览通:免费获取520份薪酬绩效文档

级别:| 积分:0 分 | 浏览:73888 | 大小:238.50KB | 下载:4080 次 | 上传:2013-10-22

简介:

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。

[展开]
         
下载文档到电脑,查找使用更方便
需0积分下载

猜你喜欢

收藏 下载此文档 所需积分:0分