您好,欢迎来到一览文库!找行业资料上一览文库!
一览( 微信公众号:yilanshequ )

一览( 微信公众号:yilanshequ )

打开微信扫一扫,即可直接关注

收藏我们 | 登录 | 注册
当前位置:一览文库> 电气电力 > 光伏 > 低应力PECVD氮化硅薄膜的制备
低应力PECVD氮化硅薄膜的制备

低应力PECVD氮化硅薄膜的制备

一览通:免费获取520份薪酬绩效文档

级别:| 积分:0 分 | 浏览:73263 | 大小:126.50KB | 下载:4054 次 | 上传:2013-10-22

简介:

研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右。

[展开]
         
下载文档到电脑,查找使用更方便
需0积分下载

猜你喜欢

收藏 下载此文档 所需积分:0分