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退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

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级别:| 积分:0 分 | 浏览:76372 | 大小:238.50KB | 下载:4218 次 | 上传:2013-10-22

简介:

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、..

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