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改进型三氯氢硅合成工艺初探
简介：关于改进型三氯氢硅合成工艺的探究。
文档关键字： 三氯氢硅,工艺设计,合成原理
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国内外多晶硅生产的主要工艺技术、现状和发展趋势
简介：改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。
文档关键字： 电子级,太阳能级多晶硅,硅烷法
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半导体硅片清洗工艺发展方向
简介：对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述，同时在此基础上，对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明，指出了硅片清洗工艺的发展方向。
文档关键字： RCA清洗,硅片清洗,硅片表面
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电池生产工艺技术探讨及应用前景分析
简介：关于电池生产工艺技术探讨及应用前景的分析。
文档关键字： 太阳能电池,电池原理,多晶硅
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电子级多晶硅的制作工艺
简介：就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。
文档关键字： 多晶硅,三氯氢硅法,硅烷法,生产流程
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多晶Si太阳电池新型制绒工艺研究
简介：提出一种采用二次酸腐蚀的多晶Si制绒新方法,首先在HF/HNO3的富HNO3体系中对Si片进行一次腐蚀,之后在富HF体系中进行二次腐蚀,以优化表面织构,减少光在Si表面的反射损失。
文档关键字： 多晶硅,太阳电池,二次腐蚀,表面织构
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76_2mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析
简介：对国产设备试制及生产5> 7612mm无位错FZ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结。
文档关键字： 硅单晶,无位错,FZ工艺
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PECVD法生长氮化硅工艺的研究
简介：采用了等离子体增强化学气相沉积法在聚 酰亚胺牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频 MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺..
文档关键字： PECVD,氮化硅,聚酰亚胺,残余应力
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单晶硅电池生产工艺
简介：根据电阻率把电池分类。硅片常见电阻率分类0.5-6Ω·㎝，0.5-3 Ω·㎝ ，3-6 Ω·㎝。
文档关键字： 化学清洗,扩散刻蚀,制减反膜
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硅氧化工艺
简介：分为结晶形和无定形两类。结晶形SiO2 由 Si – O 四面体在空间规则排列而成，如石英、水晶等；无定形SiO2 是Si - O四面体在空间无规则排列而成，为透明的玻璃体、非晶体，其密度低于前者，如热生长 SiO2 、淀积 SiO2 等。
文档关键字： 二氧化硅薄膜层,热氧化,氧化工艺流程
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