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退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响
简介：通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火..
文档关键字： PECVD法,非晶硅薄膜,多晶硅薄膜
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低应力PECVD氮化硅薄膜的制备
简介：研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响。对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右。
文档关键字： PECVD,射频,混频,氮化硅,应力
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非晶硅太阳电池减反射膜的设计
简介：基于非晶硅太阳电池的工作原理，对其减反射膜进行研究．根据四分之一波长作用原理得到反射率最小时的厚度优化参数．
文档关键字： 非晶硅,减反射膜,反射率
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多晶硅薄膜的制备方法
简介：多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。
文档关键字： 薄膜材料,高温工艺,多晶硅薄膜
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AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展
简介：本文概述了国内外AZO透明导电薄膜的多种制备技术和开发应用进展，详细介绍了磁控溅射、溶胶--凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状，并且分析了AZO膜的优良性能，指出AZO薄膜的产业化前景看好。
文档关键字： 薄膜制备技术,导电薄膜,光电特性
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薄膜电池组件的基本发展、性能优化及几点思考
简介：如今，越来越多的薄膜电池生产商要么在电池成本上极力追赶行业领先者，要么在组件设计上争取独树一帜。而Calyxo公司则致力于双管齐下的发展，即在将电池成本降至0.50美元/Wp水平的同时，引入新一代电池组件设计，以为客户带来更多的效益。
文档关键字： 沉积技术,电池组件,薄膜电池
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两步法制备CIGS薄膜的工艺研究
简介：本文主要研及究了"预制层硒化法"制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备In、Cu．Ga金属预制层，然后进行硒化（450℃）及退火处理(550℃)。
文档关键字： 预制层硒化法,退火,金属预制层
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天然染料敏化太阳能电池的研究进展
简介：介绍了薄膜太阳能电池结构、性能特点以及目前在研究和生产过程中铜铟镓硒电池的制备方法；阐述了铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术的优点，及其存在的问题和未来的前景。
文档关键字： 铜铟镓硒,太阳能电池,薄膜
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染料敏化太阳能电池技术
简介：在诸多新能源中，太阳能以其丰富的储量、清洁无污染的优点和较小的地域限制而受到广泛关注。对太阳能的利用主要包括光热转换、光电转换和光化学能转换3种形式。
文档关键字： 染料敏化,TiO2薄膜,光电转化效率
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CIGS电池技术分析
简介：本文主要阐述铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池的研究进展，概述了CIGS薄膜太阳能电池的薄膜构成及特性。介绍了CIGS薄膜吸收层的制备技术，如多元共蒸发法、溅射后硒化法及缓冲层的制备技术。
文档关键字： 薄膜太阳电池,电池技术,基本原理
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